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SI8233BD-D-ISR

SI8233BD-D-ISR

厂商名称:Silicon Labs
SI8233BD-D-ISR图片
元件分类:数字隔离器
中文描述:
数字隔离器, 2通道, 30 ns, 4.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 引脚
英文描述:
MOSFET DRIVER,-40 TO 125DEG C
数据手册:
在线购买:立即购买
SI8233BD-D-ISR概述
Si823x系列隔离式驱动器具有两个独立的隔离驱动器.最大供电电压为24V.Si823x驱动器采用Silicon Labs的硅隔离技术,可提供高达5kVRMS的耐受电压(符合UL1577),与60ns快速传播时间.驱动器输出可以接地至相同或不同的地线,或连接至正或负电压.高度集成,低传播延迟,小尺寸安装,优秀的灵活性与性价比,使该产品成为隔离MOSFET/IGBT栅极驱动应用的理想选择.可选TTL电平兼容输入,>400mV迟滞.

高电磁抗扰度(EMI)

重叠保护与可编程死区时间

高达5kVRMS输入至输出隔离

峰值驱动器至驱动器差分电压高达1500VDC

开关频率高达8MHz

>45kV/?s瞬态抗扰度

应用

电机驱动与控制,照明,电源管理,工业
SI8233BD-D-ISR中文参数
制造商:Skyworks

产品种类:门驱动器

产品:Isolated Gate Drivers

类型:High-Side,Low-Side

安装风格:SMD/SMT

封装/箱体:SOIC-16

激励器数量:2 Driver

输出端数量:2 Output

输出电流:4 A

电源电压-最小:4.5 V

电源电压-最大:5.5 V

上升时间:12 ns

下降时间:12 ns

最小工作温度:-40 C

最大工作温度:+125 C

系列:Si823x

资格:AEC-Q100

封装:Tube

商标:Skyworks Solutions,Inc.

绝缘电压:5000 Vrms

最大关闭延迟时间:60 ns

最大开启延迟时间:60 ns

湿度敏感性:Yes

工作电源电流:3.5 mA

工作电源电压:9.4 V to 24 V

Pd-功率耗散:1.2 W

产品类型:Gate Drivers

传播延迟—最大值:60 ns,60 ns
SI8233BD-D-ISR引脚图
SI8233BD-D-ISR引脚图
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